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Industria 84WBGA 400MHz di memoria flash 512Mb del microchip di PARALLELO di W9751G6KB-25 IC DRAM

Informazioni di base
Certificazione: Original Parts
Numero di modello: W9751G6KB-25
Quantità di ordine minimo: 1 pacchetto
Prezzo: Negotiation
Imballaggi particolari: 10cm x 10cm x 5cm
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri
Capacità di alimentazione: 6000pcs al mese
Informazioni dettagliate
Oggetto Numbe: W9751G6KB-25 Categoria di prodotti: Memoria & memoria flash
Capacità di stoccaggio: 512Mb (32M x 16) frequenza: 400MHZ
Volt: 1,7 V ~ 1,9 V Tecnologia: SDRAM - DDR2
Impiegati.: 0°C ~ 85°C (TC) Pacchetto: BGA84
Evidenziare:

tipo memoria flash di NAND

,

chip di memoria flash CI


Descrizione di prodotto

Chip di memoria flash W9751G6KB-25 IC DRAM 512M 84WBGA PARALLELO

 

Caratteristiche tecniche del prodotto

UE RoHS Compiacente
ECCN (US) EAR99
Tipo di DRAM DDR2 SDRAM
Densità di chip (pungente) 512M
Organizzazione 32Mx16
Numero delle banche interne 4
Numero delle parole per Banca 8M
Numero dei pezzi/parola (pungente) 16
Larghezza del canale omnibus di dati (pungente) 16
Frequenza di clock massima (megahertz) 800
Tempo di Access massimo (NS) 0,4
Larghezza del bus di indirizzo (pungente) 15
Tipo di interfaccia SSTL_18
Tensione di rifornimento minima di funzionamento (v) 1,7
Tensione di rifornimento tipica di funzionamento (v) 1,8
Tensione di rifornimento massima di funzionamento (v) 1,9
Corrente di funzionamento (mA) 165
Temperatura di funzionamento minima (°C) 0
Temperatura di funzionamento massima (°C) 85
Il numero di ingresso/uscita allinea (pungente) 16
Conteggio di Pin 84
Pacchetto del fornitore WBGA
Montaggio Supporto di superficie
Altezza del pacchetto 0,8 (massimo)
Lunghezza del pacchetto 12,5
Larghezza del pacchetto 8
PWB variabile 84

 

Caratteristica:

 

Industria 84WBGA 400MHz di memoria flash 512Mb del microchip di PARALLELO di W9751G6KB-25 IC DRAM 0

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Dettagli di contatto
Karen.