Chip di memoria flash di capacità elevata TC58BYG1S3HBAI6, azionamento 67VFBGA dell'istantaneo di 2gb NAND

TC58BYG1S3HBAI6 è un singolo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 bit) NAND elettricamente cancellabile e PROM (NAND E2PROM) organizzato come (2048 + 64) × 2048blocks delle pagine del × 64 di byte. Il dispositivo ha un registro statico da 2112 byte che permette il programma ed i dati indicati da trasferire fra il registro e gli incrementi di byte di matrice delle cellule di memoria nel 2112. L'operazione di Erase è implementata in una singola unità del blocco (128 kbyte + 4 kbyte: 2112 pagine del × 64 di byte).

Il TC58BYG1S3HBAI6 è un dispositivo di memoria di serie tipo che utilizza i perni dell'ingresso/uscita per sia l'indirizzo che l'ingresso/uscita di dati come pure per gli input di comando. Le operazioni di programma e di Erase sono eseguite automaticamente che rendono il dispositivo più adatto ad applicazioni quali stoccaggio di archivio semi conduttore, registrazione vocale, la memoria del file di immagini per le macchine fotografiche tranquille ed altri sistemi che richiedono l'archiviazione di dati ad alta densità di memoria non volatile.

Il TC58BYG1S3HBAI6 ha logica di CEE sul chip e gli errori di lettura 8bit per ogni 528Bytes possono essere corretti internamente

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