Certificazione: | Original Parts |
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Numero di modello: | IS61WV25616BLL-10TLI |
Quantità di ordine minimo: | 1 pezzo |
Prezzo: | Negotiation |
Imballaggi particolari: | 10cm x 10cm x 5cm |
Tempi di consegna: | 3-5 giorni di lavoro |
Termini di pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri |
Capacità di alimentazione: | 500-2000pcs al mese |
Articolo no.: | IS61WV25616BLL-10TLI | Tipo di memoria: | Volatile |
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formato di memoria: | SRAM | Capacità di memoria: | Capacità di memoria |
Evidenziare: | circuiti integrati CI,chip elettronico di CI |
Chip di IC di memoria di SRAM IS61WV25616BLL-10TLI del CHIP di IC - parallelo asincrono 10ns TSOP44 di IC 4Mb di memoria
CARATTERISTICHE:
ALTA VELOCITÀ: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Tempo di accesso ad alta velocità: 8, 10, 20 NS
• Active Power basso: 85 Mw (tipici)
• Potere standby basso: un appoggio da 7 Mw CMOS (tipico)
POTERE BASSO: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Tempo di accesso ad alta velocità: 25, 35, 45 NS
• Active Power basso: 35 Mw (tipici)
• Potere standby basso: 0,6 appoggi di Mw CMOS (tipico)
• Singola alimentazione elettrica
—DD 1.65V di V a 2.2V (IS61WV25616Axx)
—DD 2.4V di V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Completamente funzionamento statico: nessun orologio o rinfresca richiesto
• Tre uscite dello stato
• Controllo di dati per i byte superiori e più bassi
• Supporto industriale ed automobilistico di temperatura
• Disponibile senza piombo
DESCRIZIONE
Il ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx
sono ad alta velocità, 4.194.304 ram statiche del bit organizzate come 262.144 parole da 16 bit. È la tecnologia CMOS ad alto rendimento dei usingISSI fabbricati. Questo cess pro- altamente affidabili accoppiati con le tecniche di progettazione innovarici del circuito,
rendimenti ad alto rendimento e vizi de- del basso consumo energetico.
Quando il CE è ALTO (deselezionato), il dispositivo presuppone una modalità standby a cui la dissipazione di potere può essere ridotta giù con i livelli di ingresso di CMOS.
L'espansione di memoria facile è fornita usando il chip permette a e produrre permetta agli input, al CE e a OE. Il MINIMO attivo scrive permette alla scrittura di comandi di (WE) sia che alla lettura della memoria. Un byte di dati permette il byte superiore (UB) e l'accesso più basso di (LB) di byte.
I IS61WV25616Axx/Bxx e i IS64WV25616Bxx sono imballati nel tipo II del perno TSOP di norma 44 di JEDEC e 48 appuntano mini BGA (6mm x 8mm).
CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Massimo. | Unità |
VL'OH | Alta tensione dell'uscita | VDD = minuto, Il'OH = – 4,0 mA | 2,4 | — | V |
VOL | BASSA tensione dell'uscita | VDD = minuto, IOL = 8,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Alta tensione dell'input | 2 | VDD + 0,3 | V | |
VL'IL | BASSA tensione dell'input (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Perdita dell'input | £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V | – 1 | 1 | µA |
ILO | Perdita dell'uscita | IlDD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite ha disattivato | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Massimo. | Unità |
VL'OH | Alta tensione dell'uscita | VDD = minuto, Il'OH = – 1,0 mA | 1,8 | — | V |
VOL | BASSA tensione dell'uscita | VDD = minuto, IOL = 1,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Alta tensione dell'input | 2,0 | VDD + 0,3 | V | |
VL'IL | BASSA tensione dell'input (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Perdita dell'input | £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V | – 1 | 1 | µA |
ILO | Perdita dell'uscita | DD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite disattivate | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | VDD | Min. | Massimo. | Unità |
VL'OH | Alta tensione dell'uscita | Il'OH = -0,1 mA | 1.65-2.2V | 1,4 | — | V |
VOL | BASSA tensione dell'uscita | IOL = 0,1 mA | 1.65-2.2V | — | 0,2 | V |
VIH | Alta tensione dell'input | 1.65-2.2V | 1,4 | VDD + 0,2 | V | |
VIL (1) | BASSA tensione dell'input | 1.65-2.2V | – 0,2 | 0,4 | V | |
ILI | Perdita dell'input | £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V | – 1 | 1 | µA | |
ILO | Perdita dell'uscita | DD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite disattivate | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">
Parametro | Unità | Unità | Unità |
(2.4V-3.6V) | (3.3V +10%) | (1.65V-2.2V) | |
InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V |
Aumento dell'input e tempi di caduta | 1V/ NS | 1V/ NS | 1V/ NS |
AndReferenceLevel di InputandOutputTiming (riferimentodi V) | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
OutputLoad | Si vedano figure 1 e 2 | Si vedano figure 1 e 2 | Si vedano figure 1 e 2 |