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Parallelo asincrono 4Mb 10ns TSOP44 dei circuiti integrati elettronici di SRAM IS61WV25616BLL-10TLI

Informazioni di base
Certificazione: Original Parts
Numero di modello: IS61WV25616BLL-10TLI
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: Negotiation
Imballaggi particolari: 10cm x 10cm x 5cm
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri
Capacità di alimentazione: 500-2000pcs al mese
Informazioni dettagliate
Articolo no.: IS61WV25616BLL-10TLI Tipo di memoria: Volatile
formato di memoria: SRAM Capacità di memoria: Capacità di memoria
Evidenziare:

circuiti integrati CI

,

chip elettronico di CI


Descrizione di prodotto

 

Chip di IC di memoria di SRAM IS61WV25616BLL-10TLI del CHIP di IC - parallelo asincrono 10ns TSOP44 di IC 4Mb di memoria

 

 

CARATTERISTICHE:

 

ALTA VELOCITÀ: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Tempo di accesso ad alta velocità: 8, 10, 20 NS

• Active Power basso: 85 Mw (tipici)

• Potere standby basso: un appoggio da 7 Mw CMOS (tipico)

POTERE BASSO: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Tempo di accesso ad alta velocità: 25, 35, 45 NS

• Active Power basso: 35 Mw (tipici)

• Potere standby basso: 0,6 appoggi di Mw CMOS (tipico)

• Singola alimentazione elettrica

DD 1.65V di V a 2.2V (IS61WV25616Axx)

DD 2.4V di V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Completamente funzionamento statico: nessun orologio o rinfresca richiesto

• Tre uscite dello stato

• Controllo di dati per i byte superiori e più bassi

• Supporto industriale ed automobilistico di temperatura

• Disponibile senza piombo

SCHEMA A BLOCCHI FUNZIONALE:

DESCRIZIONE

Il ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx

sono ad alta velocità, 4.194.304 ram statiche del bit organizzate come 262.144 parole da 16 bit. È la tecnologia CMOS ad alto rendimento dei usingISSI fabbricati. Questo cess pro- altamente affidabili accoppiati con le tecniche di progettazione innovarici del circuito,

rendimenti ad alto rendimento e vizi de- del basso consumo energetico.

 

Quando il CE è ALTO (deselezionato), il dispositivo presuppone una modalità standby a cui la dissipazione di potere può essere ridotta giù con i livelli di ingresso di CMOS.

 

L'espansione di memoria facile è fornita usando il chip permette a e produrre permetta agli input, al CE e a OE. Il MINIMO attivo scrive permette alla scrittura di comandi di (WE) sia che alla lettura della memoria. Un byte di dati permette il byte superiore (UB) e l'accesso più basso di (LB) di byte.

 

I IS61WV25616Axx/Bxx e i IS64WV25616Bxx sono imballati nel tipo II del perno TSOP di norma 44 di JEDEC e 48 appuntano mini BGA (6mm x 8mm).

CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)

VDD = 3.3V + 5%

 

Simbolo Parametro Condizioni di prova Min. Massimo. Unità
VL'OH Alta tensione dell'uscita VDD = minuto, Il'OH = – 4,0 mA 2,4 V
VOL BASSA tensione dell'uscita VDD = minuto, IOL = 8,0 mA 0,4 V
VIH Alta tensione dell'input   2 VDD + 0,3 V
VL'IL BASSA tensione dell'input (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Perdita dell'input £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Perdita dell'uscita IlDD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite ha disattivato – 1 1 µA

Nota:

1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

 

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Simbolo Parametro Condizioni di prova Min. Massimo. Unità
VL'OH Alta tensione dell'uscita VDD = minuto, Il'OH = – 1,0 mA 1,8 V
VOL BASSA tensione dell'uscita VDD = minuto, IOL = 1,0 mA 0,4 V
VIH Alta tensione dell'input   2,0 VDD + 0,3 V
VL'IL BASSA tensione dell'input (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Perdita dell'input £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Perdita dell'uscita DD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite disattivate – 1 1 µA

Nota:

1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

 

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE di CC (sopra raggio d'azione)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Simbolo Parametro Condizioni di prova VDD Min. Massimo. Unità
VL'OH Alta tensione dell'uscita Il'OH = -0,1 mA 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BASSA tensione dell'uscita IOL = 0,1 mA 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Alta tensione dell'input   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) BASSA tensione dell'input   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Perdita dell'input £ V DELLA TERRANELDD DEL £ V – 1 1 µA
ILO Perdita dell'uscita DD del £ Vdel £ V della terraFUORI, uscite disattivate – 1 1 µA

Nota:

1. Vl'IL (minimo) = – CC 0.3V; Vl'IL (minimo) = – 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

VIH (massimo) = V CCDD + 0.3V; VIH (massimo) = VDD + 2.0V CA (larghezza di impulso < 10="" ns="">

CONDIZIONI DI PROVA DI CA

 

Parametro Unità Unità Unità
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Aumento dell'input e tempi di caduta 1V/ NS 1V/ NS 1V/ NS
AndReferenceLevel di InputandOutputTiming (riferimentodi V) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Si vedano figure 1 e 2 Si vedano figure 1 e 2 Si vedano figure 1 e 2

Dettagli di contatto
Karen.