Chip di memoria flash, stoccaggio istantaneo di &original di memoria BGA-153 4GB NAND di THGBM5G5A1JBA1R nuovo Descrizione: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G THGBM4G7D2GBAIE ... Read More
PARALLELO di RAM 2G dell'ISTANTANEO del chip di memoria flash MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC 166MHZ Parte MT29C2G48MAKLCJI-6 Categoria Circuiti integrati (ICs) Titolo FLASH di (ics) del circuito integrato di ... Read More
FLASH 512M 63VFBGA PARALLELO del chip di memoria flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND Caratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) 3A991.b.1.a Tipo delle cellule SLC NAND Densità di chip ... Read More
PARALLELO 63TFBGA dell'ISTANTANEO 1G del chip di memoria flash TC58NVG0S3HBAI4 IC Categorie Circuiti integrati (ICs) Memoria Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie - Imballaggio Vassoio Stato della parte ... Read More
Chip di memoria flash W971GG6JB-18, chip di memoria BGA84 di IC SDRAM DDR2 64Mx16 Caratteristiche Tipo DDR2 SDRAM Organizzazione x16 Velocità 1066 MT/s Tensione 1,8 V Pacchetto WBGA-84 Il W971GG6JB è un 1G ... Read More
FLASH 512M 63VFBGA PARALLELO del chip di memoria flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND Descrizione di base: Memoria flash di serie 3,6 V 512 Mbit (64 bit) di m. x 8 NAND di MX30LF - VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF1208AA... Read More
PARALLELO 63VFBGA dell'istantaneo 2G del chip di memoria flash MX30LF2G18AC-XKI IC NAND Serie di MX30LFx 2 GB (256 m. x 8) memoria flash del supporto NAND della superficie di 3,6 V - VFBGA-63 Mfr Part#: ... Read More
PARALLELO 67VFBGA dell'ISTANTANEO 2G del chip di memoria flash TC58BYG1S3HBAI6 IC TC58BYG1S3HBAI6 è un singolo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 bit) NAND elettricamente cancellabile e PROM (NAND E2PROM) organizzato ... Read More
