Certificazione: | Original Parts |
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Numero di modello: | MT29F2G08ABAEAH4-IT: E |
Quantità di ordine minimo: | 1260PCS/BOX |
Prezzo: | Negotiation |
Imballaggi particolari: | 10cm x 10cm x 5cm |
Tempi di consegna: | 3-5 giorni di lavoro |
Termini di pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri |
Capacità di alimentazione: | 10K al mese |
Oggetto Numbe: | MT29F2G08ABAEAH4-IT: E | Denisty: | 2Gb (256M x 8) |
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Categoria di prodotti: | Memoria & memoria flash | Interfaccia di memoria: | Parallelo |
Volt.: | 2,7 V ~ 3,6 V | Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
Impiegati.: | -40°C ~ 85°C (TUM) | Pacchetto: | 63-VFBGA |
Evidenziare: | chip di memoria flash CI,chip di regolatore di memoria flash |
FLASH 512M 63VFBGA PARALLELO del chip di memoria flash MX30LF1208AA-XKI IC NAND
Caratteristica:
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Descrizione | Valore |
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Architettura | Sectored |
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Organizzazione del blocco | Simmetrico |
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Blocchetto di stivale | Sì |
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Tipo delle cellule | SLC NAND |
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Comando compatibile | No |
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Densità | 2 GB |
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Supporto di CEE | Sì |
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Il Erase sospende/il supporto modi del riassunto | No |
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Tipo di interfaccia | Parallelo |
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Rivestimento del cavo | Latta|Argento|Rame |
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Impiegati d'elaborazione massimi | 260 |
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Tempo massimo di Erase | 0.003/Block s |
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Corrente di funzionamento massima | 35 mA |
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Tensione di rifornimento massima di funzionamento | 3,6 V |
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Tempo di programmazione di massimo | spettrografia di massa 0.6/Page |
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Tensione di rifornimento minima di funzionamento | 2,7 V |
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Montaggio | Supporto di superficie |
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Numero dei pezzi per parola | Bit 8 |
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Numero delle parole | 256 MWords |
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Temperatura di funzionamento | °C -40 - 85 |
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Dimensione di pagina | 2 KB |
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Conteggio di Pin | 63 |
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Dimensioni del prodotto | 11 x 9 x 0,75 (massimo) |
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Corrente di programma | 35 mA |
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Tensione di programmazione | 2,7 - 3,6 V |
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Livello della selezione | Automobilistico |
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Dimensione di settore | KB 128 x 2048 |
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Supporto lettura /scrittura simultaneo | No |
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Pacchetto del fornitore | VFBGA |
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Supporto del modo di pagina | No |
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Tipo di sincronizzazione | Asincrono |
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Tensione di rifornimento tipica di funzionamento | 3,3000 V |