products
Casa > Prodotti> Chip di memoria di Dram> PESO del chip di memoria MT53B384M64D4NK-062 di DRAM SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz

PESO del chip di memoria MT53B384M64D4NK-062 di DRAM SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz

DRAM Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT A SDRAM Lpddr4 24Gb ( 384M X 64) 1600MHz
DRAM Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT A SDRAM Lpddr4 24Gb ( 384M X 64) 1600MHz
Informazioni di base
Certificazione: ORIGINAL PARTS
Numero di modello: PESO MT53B384M64D4NK-062: A
Quantità di ordine minimo: 1 pacchetto
Prezzo: Negotiation
Imballaggi particolari: pacchetto del vassoio, 1600/box
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri
Capacità di alimentazione: 10K al mese
Miglior prezzo Contattaci
Informazioni dettagliate
Articolo no.: PESO MT53B384M64D4NK-062: A Stato della parte: Obsoleto
Tipo di memoria: Volatile Pacchetto: FBGA
Capacità di memoria: 24GB Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Evidenziare:

memoria dinamica a accesso casuale

,

memoria di ram CI

Descrizione di prodotto

 
 
PESO del chip di memoria MT53B384M64D4NK-062 di Dram: SDRAM - LPDDR4 memoria mobile IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz
 
Obsolescenza EOL di PCN Sviluppatore EOL 2/May/2016 di Mult
 
Attributi di prodotto Selezioni tutti  
Categorie Circuiti integrati (ICs)  
Memoria  
Produttore Micron Technology Inc.  
Serie -  
Imballaggio  Nastro & bobina (TR)   
Stato della parte Obsoleto  
Tipo di memoria Volatile  
Formato di memoria DRAM  
Tecnologia SDRAM - Cellulare LPDDR4  
Capacità di memoria 24Gb (384M x 64)  
Frequenza di clock 1600MHz  
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -  
Interfaccia di memoria -  
Tensione - rifornimento 1.1V  
Temperatura di funzionamento -30°C ~ 85°C (TC)  
 
Classificazioni dell'esportazione & ambientali:
 
Stato senza piombo/stato di RoHS Senza piombo/RoHS compiacente
Livello (MSL) di sensibilità di umidità 3 (168 ore)
 
Risorse supplementari:
 
Imballaggio di serie 1.000
Altri nomi PESO MT53B384M64D4NK-062: UN TR-ND
MT53B384M64D4NK-062WT: ATR
 

 

 
 

Prodotto Tag:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Dettagli di contatto
Karen.
Più Chip di memoria di Dram
Velocità dei chip di memoria 8GB del computer di Samsung GDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGA

Velocità dei chip di memoria 8GB del computer di Samsung GDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGA

Contattaci
durata della vita lunga del chip di computer SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C di Dram di 8G Denisty

durata della vita lunga del chip di computer SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C di Dram di 8G Denisty

Contattaci
H5TC4G63CFR - modulo di Dram del chip di memoria 256MX16 CMOS PBGA96 di PBAR DDR3 DRAM

H5TC4G63CFR - modulo di Dram del chip di memoria 256MX16 CMOS PBGA96 di PBAR DDR3 DRAM

Contattaci
7,0 acceleri la densità del chip di memoria K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G dei GBP DRAM

7,0 acceleri la densità del chip di memoria K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G dei GBP DRAM

Contattaci
Memoria Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA di SAMSUNG 8G del Ram di memoria interna GDDR6

Memoria Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA di SAMSUNG 8G del Ram di memoria interna GDDR6

Contattaci
PARALLELO 170FBGA, memoria di Ram CI del chip di memoria del computer DRAM di MT51J256M32HF-80A 8G

PARALLELO 170FBGA, memoria di Ram CI del chip di memoria del computer DRAM di MT51J256M32HF-80A 8G

Contattaci
MT51J256M32HF-70 una carta del Ram 8gb per il PARALLELO 170FBGA di IC da tavolino RAM 8G

MT51J256M32HF-70 una carta del Ram 8gb per il PARALLELO 170FBGA di IC da tavolino RAM 8G

Contattaci
Chip di memoria di H9HCNNN4KMMLHR 4Gb DRAM, stoccaggio del chip Ram del computer di LPDDR4 BGA200

Chip di memoria di H9HCNNN4KMMLHR 4Gb DRAM, stoccaggio del chip Ram del computer di LPDDR4 BGA200

Contattaci