H5TC4G63CFR - modulo di Dram del chip di memoria 256MX16 CMOS PBGA96 di PBAR DDR3 DRAM

Memoria di H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 DRAM (256MX16, CMOS, PBGA96)

Le parti sono un tasso di dati del doppio di potere basso 4Gb III (DDR3L) DRAM sincrono, adatto idealmente per le applicazioni della memoria principale che richiede la grande densità di memoria, l'alta larghezza di banda e l'operazione di potere basso a 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM fornisce la retrocompatibilità l'ambiente basato DDR3 1.5V senza alcuni cambiamenti. SK Hynix 4Gb DDR3L
Di SDRAMs di offerta funzionamenti sincroni completamente forniti di rimandi sia ai bordi aumentanti che di cadute dell'orologio. Mentre
tutti gli indirizzi ed input di controllo si agganciano i bordi in aumento dell'orologio (bordi di caduta dell'orologio),
i dati, stroboscopi di dati e scrivono le maschere che di dati gli input sono provati sia sui bordi aumentanti che di cadute di. I dati
i percorsi internamente sono canalizzati e l'8 bit prefetched per raggiungere la larghezza di banda molto alta.

SPECIFICHE