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Chip di memoria K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 1.5V 96-Pin FBGA di 4Gbit 256M x 16 di DRAM Mbps 1600

DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
Informazioni di base
Certificazione: Original Parts
Numero di modello: K4B4G1646E-BYK0
Quantità di ordine minimo: 1 pacchetto
Prezzo: Negotiation
Imballaggi particolari: 10cm x 10cm x 5cm
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, Paypal, Western Union, impegno ed altri
Capacità di alimentazione: 60000pcs al mese
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Informazioni dettagliate
numero di articolo: K4B4G1646E-BYK0 Velocità: Mbps 1600
status di prodotto: produzione di massa Densità: 4GB
Org.: 512M x 8 Pacchetto: BGA96
Evidenziare:

memoria dinamica a accesso casuale

,

memoria di ram CI

Descrizione di prodotto

Chip di memoria K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA di DRAM

 

È stato sviluppato nel 2005, il industria-primo DDR3 di Samsung è la soluzione del sistema più usata, dai pc e dagli elettrodomestici, ad automobilistico ed agli apparecchi medici.

 

 

Specifiche

Densità 4Gb Org. 512M x 8
Velocità Mbps 1600 Tensione 1,35 V
Impiegati. 0 ~ °C 85 Pacchetto 96FBGA
Stato del prodotto Fabbricazione in serie  

Prodotto Tag:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Dettagli di contatto
Karen.
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