Supporto V di 200MHz 2,4 - 2,7 della superficie di Mbit di memoria 256 di SDRAM del chip di memoria di HY5DU561622FTP-5 DRAM

Supporto della superficie di memoria 256Mbit di SDRAM del chip di memoria di HY5DU561622FTP-5 DRAM, 200MHz, 2,4 → 2,7 V

DESCRIZIONE
Il Hynix HY5DU561622FTP-5, -4 serie è un tasso di 268.435.456 del bit di CMOS dati del doppio (RDT) il DRAM sincrono,
adatto a idealmente per le applicazioni punto a punto che richiede l'alta larghezza di banda.
Di Hynix 16Mx16 RDT SDRAMs di offerta i funzionamenti sincroni completamente forniti di rimandi sia ai bordi aumentanti che di cadute del
orologio. Mentre tutti gli indirizzi ed input di controllo si agganciano i bordi in aumento delle CK (bordi di caduta di /CK), i dati,
Gli stroboscopi di dati e scrivono le maschere che di dati gli input sono provati sia sui bordi aumentanti che di cadute di. I percorsi dei dati sono internamente
canalizzato ed il bit 2 prefetched per raggiungere la larghezza di banda molto alta. Tutti i livelli di tensione in uscita e dell'input sono compatibili
con SSTL_2.
CARATTERISTICHE
• VDD, VDDQ = 2.5V +/- 0.2V per 200MHz
VDD, VDDQ = 2.6V + 0,1/-0.2V per 250MHz
• Tutti gli input ed uscite sono compatibili con SSTL_2
interfaccia
• JEDEC 400mil standard 66pin TSOP-II con 0.65mm
passo del perno
• Operazione degli input di orologio completamente differenziale (CK, /CK)
• Doppia interfaccia di tasso di dati
• Fonte sincrona - transazione di dati stata allineata a
stroboscopio bidirezionale di dati (DQS)
• il dispositivo x16 ha 2 stroboscopi bytewide di dati (LDQS,
UDQS) per ogni ingresso/uscita x8
• Emissioni dei dati sui bordi di DQS una volta colti (DQ orlati)
Immissioni dei dati sui centri di DQS quando scriva (concentrato
DQ)
• I dati (DQ) e scrivono le maschere (dm) si sono agganciati l'entrambi
bordi aumentanti e di cadute dello stroboscopio di dati
• Tutti gli indirizzi ed input di controllo escludono i dati, dati
gli stroboscopi e le maschere di dati si sono agganciati i bordi in aumento
dell'orologio
• Scriva i comandi di byte della maschera da LDM e da UDM
• Latenza programmabile 3/4 di /CAS di sostegno
• Lunghezza programmabile 2/4/8 di scoppio con entrambi
modo di interleave e sequenziale
• 4 interni contano le operazioni con singolo /RAS pulsato
• funzione di serrata del tRAS di sostegno
• L'auto rinfresca e l'auto rinfresca di sostegno
• 8192 rinfrescano i cicli/64ms
• In pieno, metà e forza (debole) abbinata di impedenza
opzione del driver controllata da EMRS